3D 集成电路堆叠技术：超越摩尔的革命
随着消费电子产品需求激增，电子系统市场迎来了爆炸式增长。这些便携式设备对小型化提出了迫切需求，而高集成电路的组装成为关键。半导体技术革新遵循摩尔定律，推动电子系统性能大幅提升。而 3D 集成电路堆叠技术作为一项新兴技术，正在重塑传统集成电路封装和组装领域，为下一代电子系统开发开辟新道路。
3D 集成电路堆叠技术是一种突破性技术，它超越了摩尔定律的范畴，通过硅穿孔（TSV）互连实现多层集成电路的垂直堆叠。这种方法显著提高了连接密度、降低了阻抗、减少了功耗、扩大了带宽，并增强了设计的灵活性。无论是模块对模块、模块对晶圆还是晶圆对晶圆的连接，3D 集成电路堆叠技术都展现出无与伦比的设计自由度。
然而，要充分发挥 3D 集成电路技术的优势，需要新的设计理念和对工艺技术创新的深刻理解。本书汇集了来自高通、Synopsys、Applied Materials 和 Amkor Technology 等行业专家的智慧，深入探讨了这项技术从设计生态系统、设计自动化、TSV 工艺选择、单元工艺技术到最终组装和测试的全过程。通过全面分析，本书揭示了 3D 集成电路堆叠技术的潜力和挑战，为从业者和研究者提供了宝贵的指导资源。
本书适用于电子产品制造商、半导体工程师、科研学者和对工程技术感兴趣的读者。它是一扇通往 3D 集成电路堆叠技术前沿世界的窗口，带领您探索这一复杂而充满可能的未来趋势。