STM32F103C8T6内部Flash模拟EEPROM（附代码）
简介
本资源文件提供了如何在STM32F103C8T6微控制器上通过内部Flash模拟EEPROM的详细教程和代码示例。通过这种方式，用户可以在不使用外部EEPROM芯片的情况下，实现数据的非易失性存储。
主要内容
- 模块化编程：代码采用模块化设计，方便移植和集成到其他项目中。
- Flash空间定义：详细介绍了如何在主函数中初始化Flash，并定义Flash的读取与写入操作。
- 数据写入与读取：提供了Flash写入数据和读取数据的代码示例，用户可以直接使用。
- 注意事项：由于Flash的擦除次数有限，正常使用没有问题，但需要注意Flash的使用寿命。
使用方法
- 下载代码：从提供的链接下载代码文件。
- 导入工程：将代码导入到STM32开发环境中。
- 配置Flash地址：根据实际需求配置Flash的写入地址。
- 编译与烧录：编译代码并烧录到STM32F103C8T6开发板上。
- 测试：运行代码，测试Flash的写入与读取功能。
代码示例
以下是部分代码示例，展示了如何进行Flash的写入与读取操作：
// Flash写入数据示例
void writeFlashData(uint32_t address, uint32_t data) {
HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data);
HAL_FLASH_Lock();
}
// Flash读取数据示例
uint32_t readFlashData(uint32_t address) {
return *(__IO uint32_t*)address;
}
注意事项
- Flash寿命：Flash的擦除次数有限，频繁写入可能会缩短其使用寿命。
- 地址管理：在写入数据时，确保地址不超出Flash的存储范围。
总结
通过本资源文件，用户可以轻松地在STM32F103C8T6上实现内部Flash模拟EEPROM的功能，适用于需要非易失性数据存储的应用场景。