半导体器件物理施敏 资源下载

2024-10-03

半导体器件物理-施敏 资源下载

资源描述

本仓库提供了一份名为《半导体器件物理-施敏》的资源文件下载。该文件是微电子领域的经典之作,涵盖了半导体物理、器件的基本构件、晶体管、负阻器件和功率器件、光学器件和传感器等多个方面的内容。

文件内容概述

第1部分:半导体物理

  • 第1章:半导体物理学和半导体性质概要
    • 1.1 引言
    • 1.2 晶体结构
    • 1.3 能带和能隙
    • 1.4 热平衡时的载流子浓度
    • 1.5 载流子输运现象
    • 1.6 声子、光学和热特性
    • 1.7 异质结和纳米结构
    • 1.8 基本方程和实例

第2部分:器件的基本构件

  • 第2章:p-n结二极管
    • 2.1 引言
    • 2.2 耗尽区
    • 2.3 电流-电压特性
    • 2.4 结击穿
    • 2.5 瞬变特性与噪声
    • 2.6 端功能
    • 2.7 异质结
  • 第3章:金属-半导体接触
    • 3.1 引言
    • 3.2 势垒的形成
    • 3.3 电流输运过程
    • 3.4 势垒高度的测量
    • 3.5 器件结构
    • 3.6 欧姆接触
  • 第4章:金属-绝缘体-半导体电容
    • 4.1 引言
    • 4.2 理想MIS电容
    • 4.3 硅MOS电容

第3部分:晶体管

  • 第5章:双极晶体管
    • 5.1 引言
    • 5.2 静态特性
    • 5.3 微波特性
    • 5.4 相关器件结构
    • 5.5 异质结双极晶体管
  • 第6章:MOS场效应晶体管
    • 6.1 引言
    • 6.2 器件的基本特性
    • 6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
    • 6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
    • 6.5 MOSFET的结构
    • 6.6 电路应用
    • 6.7 非挥发存储器
    • 6.8 单电子晶体管
  • 第7章:JFET,MESFET和MODFET器件
    • 7.1 引言
    • 7.2 JFET和MODFET
    • 7.3 MODFET

第4部分:负阻器件和功率器件

  • 第8章:隧道器件
    • 8.1 引言
    • 8.2 隧道二极管
    • 8.3 相关的隧道器件
    • 8.4 共振遂穿二极管
  • 第9章:碰撞电离雪崩渡越时间二极管
  • 第10章:转移电子器件和实空间转移器件
  • 第11章:晶闸管和功率器件

第5部分:光学器件和传感器

  • 第12章:发光二极管和半导体激光器
  • 第13章:光电探测器和太阳电池
  • 第14章:传感器

附录

  • A. 符号表
  • B. 国际单位制
  • C. 单位词头
  • D. 希腊字母表
  • E. 物理常数
  • F. 重要半导体的特性
  • G. Si和GaAs的特性
  • H. SiO2和Si3N4的特性

下载说明

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