3D 封装与硅通孔 (TSV) 工艺技术指南
资源简介
本指南全面介绍了 3D 封装与硅通孔 (TSV) 工艺技术，作为半导体领域领先的创新技术之一。该技术利用硅通孔 (TSV) 铜互连实现立体 (3D) 垂直整合，从而提升半导体器件的集成度和性能。
TSV 技术详解
硅通孔 (TSV) 是 3D 叠层硅器件技术的关键进展。TSV 通过穿过硅晶片的“通孔”创建垂直电连接，连接芯片正反面。TSV 提供了最短的互连路径，为最终的 3D 集成铺平了道路。相比于传统的引线键合和倒装芯片堆叠方案，TSV 技术具备更高的空间利用率和更密集的互连。
与微凸块键合和先进的倒装芯片技术相结合，TSV 技术在更紧凑的外形尺寸下实现了更高级别的功能集成和性能。本指南深入阐释了 TSV 技术的原理、应用以及其在半导体行业的重要性。
适用范围
- 半导体行业专业人士
- 电子工程专业的学生
- 对先进封装技术感兴趣的研究人员
指南内容
- TSV 技术的基础原理
- 3D 封装技术的应用场景
- TSV 技术在半导体制造中的优势
- 未来发展趋势和挑战
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